MOSFET 란..

MOSFET란

FET는 미국 벨 연구소의 쇼클레이가 접합형 트랜지스터를 발명한 다음해인 1952년에 착상한 것으로 1953년 벨연구소에서 대시와 로스에 의해 처음으로 접합형 FET가 시험 제작 되었다. 1960년 벨 연구소의 캉과 이틸라에 의한  MOSFET가 발명 되었다.
MOSFET는 흔히 MOS라고 약하여 부르며 반도체 기억소자로 집적도를 높일 수 있는 특징이 있어 대규모 집적회로에 많이 쓰인다. MOS는 Metal Oxide Semiconductor를 약칭한다. MOSFET도 역시 전도채널의 형식에 따라 n-채널과 p-채널로 구분되며 각각 구조상 증가형(Enhancement type)과 공핍형(Depletion type) 으로 구분한다.

< 증가형 n-채널>

<공핍형 n-채널>

증가형은 게이트전압이 0일때에는 드레인 전류가 흐르지 않으며 게이트 전압의 증가에 따라 출력전류가 증가한다.
공핍형은 게이트전압이 0일때에도 드레인 전류가 흐르며 게이트 전압이 역 바이어스로 증가하면서 감소하는 특징이 있다.

2>동작원리
소스와 드레인 사이의 게이트 전압에 의해 조절한다.
P형기판인 실리콘에는 전류의자유전자의 수가 매우 적으므로 소스와 드레인 사이의 높은 전압을 가해도 기판의 저항이 너무 크기때문에 전류가 흐를수 없다.그러나 게이트 전압을 가하면 중간의 절연체인 Oxide때문에 전류가 흐를수 없다가 기판과 Oxide경계면에 전자가 모이게 되어 전도채널 (Condution channel) 이 형성되어 전류가 도통하게 된다.

Collector - Drain , Emitter - Source , Base - Gate

위의 이야기를 쉽게 설명 하면 우리가 흔히 알고 있는 TR을 보다 더 큰 전류를 제어 하기 위해 나온 것이 FET입니다.
우리 알씨 쪽에서 제일 많이 사용 하는 기본적인 것이니 회로나 기본 작동을 알고자 위의 설명을 한 것입니다.
위의 그림을 약간 이해를 해야 각 회사의 전자 변속기 및 충전기의 성능을 소비자분이 직접 확인 할수 있습니다.
간단한 이야기로 RDS를 많이 이야기 하는데 그것은 드레인과 소스간의 저항값을 이야기 하는 것입니다.
전세계적으로 나오는 FET반도체 회사는 몇군데 없고 알씨에 사용 하는 FET는 거의 같다고 보시면 됩니다.


출처 : SJPropo